1. applications des transistors a effet de champ en arseniure de gallium
المؤلف: /R. Soares,J. Obregon, J. Graffeuil.
المکتبة: سازمان اسناد و كتابخانه ملی جمهوری اسلامی ایران (طهران)
موضوع: ترانزیستورها
رده :
TK
۷۸۷۲
/
س
۹
الف
۲ ۱۳۶۳